奥鹏作业网大工20春《模拟电子技术》在线作业1
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.已知某晶体管处于放大状态,测得其三个极的电位分别为1.3V、2V和6V,则6V所对应的电极为()。
A.发射极
B.集电极
C.基极
D.无法确定
2.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
3.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
5.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
6.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
7.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
8.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.线性失真
9.晶体管能够放大的外部条件是()。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
10.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)
11.射极输出器无放大功率的能力。
12.温度升高,晶体管输入特性曲线右移。
13.二极管是非线性器件。
14.对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
15.共射放大电路中信号从射极输入,由集电极输出。
16.BJT有三个极、三个区、三个PN结。
17.阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
18.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
19.当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
20.N型半导体带正电。
