奥鹏作业网题目、（）是生产太阳能级硅材料的主要技术。冶金法 二氧化硅高纯试剂还原法 改良西门子法 四氯化硅金属还原法
题目、代号2205的工业硅，其中铁、铝、钙三种杂质的含量分别是（）。0.20％、0.20％、0.05％ 以上都不对 0.20％、0.05％、0.20％ 0.05％、0.20％、0.20％
题目、对比传统西门子法，改良西门子法的优点，错误的是（）。节约时间 节能 降低物耗 减少污染
题目、改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。吸附 精馏 区域提纯 物理提纯法
题目、工业硅加工产品的附加值最高的是（）。有机硅生产 生产合金 生产光纤、多晶硅、单晶硅等通讯、半导体器件和太阳能电池 以上皆不是
题目、关于采用区域提纯法去除硅中硼杂的区域提纯杂质描述正确的是（）取决于温度效果显著 取决于硼的含量 效果一般完全去除 几乎无法效果去除
题目、关于分子筛说法错误的是（）。也叫合成沸石 分子筛晶体内有许多孔径均匀的孔道和排列整齐的孔穴，提供了大量的比表面 具有极性 对非极性分子具有较强的亲和力
题目、硅石和还原剂在低于1500℃时，发生的反应是（）。
SiO2+3C=SiC+2CO↑
无化学反应，仅为预热
SiO2+2SiC=3Si+2CO↑
2SiO2+SiC=3SiOuarr+CO↑
题目、金刚石结构的晶体中位错滑移最容易产生的滑移面是（）。{111}面 {110}面 {100}面 {101}面
题目、晶体生长过程中产生的缺陷称为（）。原生长缺陷 二次缺陷 点缺陷 诱生缺陷
题目、区熔法制备单晶硅时，需要（）。需要一个石英坩埚用于溶化 需要一个石英坩埚和一个石墨坩埚 不需要坩埚 需要一个石墨坩埚
题目、生产直拉单晶硅生产时，单晶炉内需要通入（）作为保护气体炉体内通常是（）。氧气低压的空气 低压的氮气氢气 低压的氩气 常压的空气
题目、太阳电池用直拉单晶硅中的主要缺陷是（）。杂质原子 位错 空位 二次缺陷
题目、微电子工业和单晶硅太阳电池的生产的特点在于（）。前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅 两者可以采用同样的高纯多晶硅作为原料 后者采用直拉法或区熔法单晶硅，而前者不是 从高纯多晶硅转化成单晶硅的步骤都非常重要
题目、吸附时不发生任何化学变化，是（）。物理吸附 以上皆不是 化学吸附 不可逆过程
题目、在工业硅的生产炉中，温度在2000℃以上的部分，（）。只有熔炼过程中生成的SiC 底下是SiC，其上面是产品工业硅 全部都是产品工业硅 以上皆不是
题目、占据晶格间隙位置的杂质原子为（）。原生长缺陷 替位杂质原子 本征点缺陷 间隙杂质原子
题目、CZ法生长单晶硅工艺依次有加料、熔化以及（）。缩颈生长、等径生长、放肩生长、尾部生长 缩颈生长、放肩生长、等径生长、尾部生长 等径生长、缩颈生长、放肩生长、尾部生长 放肩生长、缩颈生长、等径生长、尾部生长
题目、Dash工艺主要解决的是（）。热应力 减少缺陷（位错） 加入转晶 放肩
题目、大热场的石墨坩埚往往被做成两瓣或三瓣式的原因在于（）。方便安装 防止石墨坩埚被膨胀的石英坩埚撑破 吸收剩余的熔硅凝固时体积增大而造成的应力，从而减少漏硅的危险 降低成本
题目、工业硅生产过程中，要注意的是（）。通过选择合理的炉子结构参数和电气参数，保证反应区有足够高的温度 及时捣炉，帮助沉料 保持料层有良好的透气性，及时排除反应生成的气体 及时调整配料比，保持适宜的SiO2与碳的分子比
题目、工业吸附对于吸附剂的要求包括（）。具有较大的内表面，吸附容量大 具有一定的机械强度，抗磨损 有良好的物理及化学性能，耐热冲击，耐腐蚀 选择性高
题目、关于对czCZ法和fzFZ法说法描述正确的是（）。生长时都需借助要采用籽晶 都需要采用真空气氛保护 都需要使用缩颈工艺 熔化时都需要采用坩埚
题目、关于硅粉与氯化氢合成三氯氢硅的生产工艺说法正确的是（）。放热反应 吸热反应 温度升高后反而将影响产品收率 要加热到所需温度才能进行
题目、关于晶转说法正确的是（）。过高的晶转会使固液界的形状太凹 在某些晶转下，棱线或者小平面与直径的读取同步，引起直径的读值和拉速的大幅度跳动 晶体和坩埚的旋转方向相同，以改善热场的对称性 吊索和晶体出现共振时效果最好
题目、关于完全互溶的A、B双组分的溶液与其混合蒸汽所组成的相图，说法正确的是（）。被两条曲线分为三个区域 升温到气相线上，正好产生第一个气泡，故气相线又称为泡点曲线 降温到液相线，产生第一个液滴，故液相线称为露点曲线 降温到液相线上，正好产生第一个气泡，故液相线又称为泡点曲线
题目、关于SiO说法正确的是（）。SiO很容易发生化学反应 温度高于1500℃，由SiO2和SiC反应得到 能在1500℃与C发生反应 能与氧气发生反应
题目、硅烷法的特点是（）。不需用氢还原，甲硅烷可以热分解为多晶硅 硅烷气体易于用吸附法提纯 易于分解为非晶硅 硅烷易爆炸
题目、化学法提纯高纯多晶硅的工艺包括（）。中间化合物的分离提纯 中间化合物的合成 中间产物被还原或者是分解成高纯硅还原成高纯硅 区域提纯
题目、晶体中点缺陷浓度是（）效应共同作用的结果。点缺陷的产生 点缺陷分解 点缺陷的复合 点缺陷的扩散
题目、具有金刚石结构的的晶体中的解理面包括位错线的优先方向为（）。
{211}〈211〉晶面族晶向
{100}<110>晶向晶面族
〈210〉晶向{110}晶面族
{111}晶面族〈111〉晶向
题目、磷在硅中很容易去除，在于（）。磷的密度小 磷在硅中的分配系数小于1 磷在硅熔液中很快得到蒸发 磷的熔点低
题目、石墨坩埚的寿命取决于（）。石墨坩埚的形状 在晶体生长过程中的受热程度 承受的重量 石墨的材质
题目、位错影响说法正确的是（）。刃型位错也可能作为一排受主 位错作为一个线电荷和空间电荷圆柱成为复合中心 位错能够改变载流子浓度 刃性位错作为一排施主中心向导带提供电子
题目、无坩埚区域提纯（）。也可用于晶体生长 硅也能采用水平区域提纯法 避免了坩埚的污染 熔硅不会流动是由于其很大的表面张力
题目、以下对吸附描述正确的是升温和降压有助于（）。升温对于物理吸附影响很小化学吸附是可逆的 化学吸附是不可逆的降压只是让水蒸气更容易挥发 物理．吸附的进行吸附是可逆的 脱咐的进行物理吸附是不可逆的
题目、由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度 熔体稳定 晶体直径大 对多晶形状要求低
题目、直拉单晶炉的主室包括（）。热绝缘筒和地盘 石墨加热器 石墨坩埚 石英坩埚
题目、CZ法产生位错的环节和方式有（）。籽晶中的位错延伸、增殖 晶体表面存在温度梯度，产生很强的热应力 籽晶表面损伤、机械磨损裂痕 单晶冷却时，晶体表面和中心由于收缩率不同产生很大的应力
题目、闭路循环系统是指生产中的各种物料得到充分的利用，排出的废料极少。
题目、从安全性的角度考虑，改良西门子法优于硅烷法。
题目、单位长度位错线的能量正比于柏格斯矢量长度。
题目、对于一次熔化来说，正常凝固的提纯效果不如区域提纯的效果好。
题目、分子筛具有极性，对非极性分子具有较强的亲和力。
题目、改良西门子法的原料主要是硅石。
题目、改良西门子法能对产生的氢气、氯化氢、氯硅烷等副产物进行回收利用。
题目、改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。
题目、硅是自然界分布最广泛的元素之一，是介于金属和非金属之间的半金属。
题目、化学提纯时，中间化合物提纯到所需要的纯度后，在后续的还原工艺要求不需要很高。
题目、化学吸附是放热过程，而物理吸附是吸热过程。
题目、甲硅烷常温下为气体，室温下就容易分解。
题目、精馏是实现多级部分汽化和多级部分冷凝的实用技术。
题目、冶金法制备高纯多晶硅与改良西门子法相比，前者的成本更低，但是电耗更多。
题目、由于能量的原因，晶体中空位和自间隙原子在一定温度下的平衡浓度是一定的。
题目、只通过湿法冶金技术来提纯硅材料，是很难将工业硅提纯到满足制作太阳能电池所需的要求。
题目、CZ和FZ均采用感应线圈进行加热。
题目、FZ硅占领了85%以上的硅单晶市场。
题目、MCZ法磁致粘滞性控制了流体的运动，也减少了熔体的温度波动。
题目、SiH4不能采用精馏技术进行提纯
题目、将工业硅的应用与用量一一对应。国开形考答案请进：opzy.net或请联系微信：1095258436
（1）生产合金 一一[[3]]
（2）有机硅 一一[[2]]
（3）半导体器件和太阳能电池 一一[[1]]
{A. 5% / B. 40% / C. 55%}
题目、将工业硅生产过程中的注意事项与作用一一对应。
（1）保持适宜的SiO2与碳的分子比 一一[[3]]
（2）保证反应区有足够高的温度 一一[[2]]
（3）及时捣炉，帮助沉料 一一[[1]]
{A. 避免炉内过热造成硅的挥发或再氧化生成SiO / B. 分解生成的SiC使反应向有利于生成硅的方向进行 / C. 防止过多的SiC生成}
题目、将工艺与提纯方法一一对应。
（1）硅烷法 一一[[2]]
（2）改良西门子法 一一[[1]]
（3）冶金 一一[[3]]
{A. 精馏 / B. 吸附 / C. 物理提纯}
题目、将硅中的微小的缺陷与描述一一对应。
（1）红外散射缺陷（LSTDs）一一[[3]]
（2）流水花样缺陷（FPDs）一一[[2]]
（3）晶体原生颗粒缺陷（COPs）一一[[1]]
{A. 随着拉速的增加而增加 / B. 过饱和空位凝聚而成的空位团 / C. 拉速越慢，LSTDs密度越低}
题目、将化学反应与作用一一对应。
（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl 一一 [[3]]
（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2 一一 [[1]]
（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑ 一一 [[2]]
{A. 中间产物的合成 / B. 工业硅的合成 / C. 中间产物的还原}
题目、将吸附的设备与工艺一一对应。
（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内 一一[[3]]
（2）固定吸附床 一一[[1]]
（3）移动吸附器 一一[[2]]
{A. 半连续操 / B. 连续操作 / C. 间歇操作}
题目、将氧的存在方式及其描述一一对应。
（1）热施主 一一[[2]]
（2）新施主 一一[[1]]
（3）氧沉淀 一一[[3]]
{A. 热处理温度处于550～850℃ / B. 处理温度处于300～500℃ / C. 适当的温度下进行热处理时会脱溶}
题目、将元素及其在硅熔体中的分凝系数一一对应。
（1）O 一一[[1]]
（2）C 一一[[2]]
（3）B 一一[[3]]
{A. 1.25 / B. 0.07 / C. 0.8}
题目、将Cz法中的工艺与描述一一对应。
（1）缩颈生长 一一[[1]]
（2）放肩生长 一一[[3]]
（3）等径生长 一一[[2]]
{A. 减少位错 / B. 硅片取材的部位 / C. 肩部夹角接近180°，这样可以提高多晶硅的利用率}
题目、将Cz法中的设备与描述一一对应。
（1）石英坩埚 一一[[3]]
（2）石墨坩埚 一一[[1]]
（3）石墨加热器 一一[[2]]
{A. 底部比较厚，以起到较好的绝热效果 / B. 电阻会随着使用次数的增加而升高 / C. 纯度和耐热性能要求很搞}
题目、将FZ单晶硅中的杂质与描述一一对应。
（1）O 一一[[1]]
（2）C 一一[[2]]
（3）N 一一[[3]]
{A. 危害大 / B. 浓度低，影响小 / C. 增强机械性能}
