奥鹏作业网题目、（）对电池性能的影响直接反映在对材料参数及电池的电学参数的影响上。: 厚度辐射温度大小
题目、（）是衡量电池输出特性的重要指标，其值越大表明太阳电池的输出特性越好。: 填充因子光谱响应短路电流开路电压
题目、常规电池的厚度（），开路电压及填充因子（）。: 增加不变减小下降减小不变减小上升
题目、常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是（）。: 离子注入法合金法分离法扩散法
题目、电池烧结前先对电极进行（），之后再进行烧结。: 氧化加热铜化烘干
题目、硅的电阻率与掺杂（）有关。: 重量颜色数量浓度
题目、硅片清洗必须按照的次序清洗，才能除去硅片表面的油脂、蜡等有机物。: 水-甲苯-丙酮-酒精水-丙酮-甲苯-酒精丙酮-甲苯-酒精-水甲苯-丙酮-酒精-水
题目、粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。: 重量浓度颜色大小
题目、目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个近（）的夹角。: 90°45°180°30°
题目、内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效率（），切片后硅片的表面损伤大。: 慢小低快大高快小高慢大低
题目、太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中电池温度为（）。: 30℃25℃15℃20℃
题目、太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱辐照度为（）。: 500W/㎡2000W/㎡1000W/㎡1500W/㎡
题目、太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其中光谱为（）。: AM2.5AM2AM1AM1.5
题目、线切割线切割机切割的效率（），切割损耗（），表面损伤（）。: 高小小高大小低大大低小大
题目、悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度（）,电学性能（）。: 高均匀低不均匀高不均匀低均匀
题目、以下（）用于固态源扩散。: 三溴化硼硼酸三丙酯氮化硼硼酸三甲酯
题目、以下哪项最为直接影响太阳电池的光电转换效率（）。: 工作温度禁带宽度电池结构材料性质
题目、在硅片清洗中，经常用到王水，主要利用它的（）。: 强氧化性强碱性强酸性强腐蚀性
题目、直拉单晶硅的制备工艺一般包括（）。: 多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、等径、放肩和收尾多晶硅的装料和熔化、种晶、放肩、引细颈、等径和收尾多晶硅的装料和熔化、种晶、引细颈、放肩、等径和收尾多晶硅的装料和熔化、种晶、、放肩、等径、引细颈和收尾
题目、转换效率是电池的最大功率输出与（）之比。: 填充因子开路电压入射功率短路电流
题目、常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）。: 5:03:036:01:015:01:016:03:03
题目、单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。: 直熔法直拉法浇铸法区熔法
题目、电池的输出功率受以下哪些因素所影响（）。: 光子能量大于禁带宽度的能量损耗光子能量小于禁带宽度引起的损耗栅覆盖面积抗反射层的吸收和反射
题目、多晶硅锭的两种常见生产方法有（）。: 直熔法区熔法直拉法浇铸法
题目、多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。: CH3CH2OHH20HN03HF
题目、固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）。: 设备复杂、操作麻烦扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好扩散效率高，更适于大批量生产产品的合格率较高
题目、光伏电池广泛应用于当今社会，以下哪些选项是其典型应用（）。: 电池充电器抽水系统室内电子器件无线电通信系统电源
题目、硅材料的选料主要包括（）。: 形状、尺寸、厚度导电类型电阻率晶向、位错、寿命
题目、硅片表面污染的杂质分类有（）。: 离子型杂质质子型杂质原子型杂质分子型杂质
题目、碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）。: 外观平整光亮度高成本较低对环境的污染小
题目、离子注入法具有的特点主要有（）。: 掺杂深度小不受固溶度限制均匀性好精确的剂量控制
题目、太阳电池的测试方法包括（）。: 阳极氧化法测结深四探针法测薄层电阻太阳电池负载特性的测试少子寿命的测试
题目、太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。: 材料性质结构工作温度环境变化
题目、以下哪些选项对太阳电池性能有直接的影响（）。: 颜色辐射电池片厚度温度和光强度
题目、在太阳电池的扩散工艺中，影响扩散的重要因素有（）。: 扩散气氛扩散温度扩散深度扩散时间
题目、直拉单晶硅制备工艺一般包括（）。: 装料和熔化收尾放肩和等径生长种晶和引细颈
题目、制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法的优点是（）。: 电极牢度好所需温度低分配系数比铝大结均匀
题目、制备PN结的主要方法有以下几种（）。: 合金法离子注入法扩散法分离法
题目、制作电极的方法主要有（）。: 化学镀膜法加热氧化法真空蒸镀法印刷烧结法
题目、作为减反射层的薄膜材料，通常要求有很好的（）。: 透光性耐化学腐蚀性硅片粘接性导电性
题目、常规硅太阳电池工艺中,形成电池PN结的主要方法是合金法。
题目、串、并联电阻对填充因子的影响极小，可以忽略不计。
题目、多晶硅一般采用碱溶液对进行表面腐蚀制绒。
题目、根据晶体生长方式的不同，单晶硅可以分为直拉单晶硅和区熔单晶硅。
题目、光伏电池具有对称的电子学结构。
题目、光伏电池可以用于微波中继站电源供给，作为无线电通讯系统电源。
题目、硅片进行表面腐蚀，其作用是去除表面的切片机械损伤。
题目、减反射膜又称增透膜，它的主要功能是减少或消除太阳电池表面的反射光
题目、碱腐蚀的硅片表观光亮平整，但缺点是成本高和对环境的污染大。
题目、晶面间的共价键密度越低，则该晶面越容易被腐蚀。
题目、利用区熔单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且生产成本低，应用广泛。
题目、利用王水清洗硅片主要在于它的腐蚀性。
题目、内圆切割机切片的速度快，可以同时切割多根单晶硅锭。
题目、水汽氧化是平面工艺最常用的方法。
题目、太阳电池的最高转换效率不可能达到100%。
题目、太阳电池良好特性最适宜在低温低光照强度下。国开形考答案请进：opzy.net或请联系微信：1095258436
题目、制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。
题目、POCl3扩散是一种用气体携带液态扩散源的扩散方式。
题目、电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式表示如下、
式中各项分别指代。
（1）λ0 一一[[2]]
（2）R(λ) 一一[[1]]
（3）F(λ) 一一[[3]]
{A 表面反射率 / B 本征吸收波长限 / C 太阳光谱中波长为l～l+dl间隔内的光子数}
题目、硅片表面污染的杂质可分类为。
（1）分子型杂质 一一[[2]]
（2）离子型杂质 一一[[1]]
（3）原子型杂质 一一[[3]]
{A K+, Na+, Ca2+, F-, CL-, CO32 / B 油脂、腊、松香 / C 金、铂、铜、铁}
题目、硅片的一般清洗顺序是，请按步骤一一匹配。
（1）有机溶剂去油 一一[[3]]
（2）去除残留的有机和无机杂质 一一[[2]]
（3）清洗液彻底清洗 一一[[1]]
{A 热王水或I号、Ⅱ号清洗液 / B 热的浓硫酸 / C 甲苯}
题目、将下列常用几种氧化方法一一匹配。
（1）水汽氧化法 一一[[3]]
（2）干氧氧化法 一一[[1]]
（3）湿氧氧化法 一一[[2]]
{A 生长速率最慢，生成的二氧化硅薄膜结构致密、均匀性好 / B 生长速率介于两者之间,钝化效果不好，进一步降低体寿命 / C 生长速率最快，生长的二氧化硅层结构疏松，表面有斑点}
题目、将下列常用减反射膜一一匹配。
（1）SiO膜 一一[[2]]
（2）TiO2膜 一一[[3]]
（3）Si3N4膜 一一[[1]]
{A 折射率在1.8～2.5，具有明显的表面钝化和体钝化作用 / B 折射率为1.8～1.9，是最常用的减反射膜材料 / C 折射率为2.0～2.7，可得到比较理想的太阳电池减反射膜。}
题目、将下列概念与意义作用一一匹配。
（1）腐蚀 一一[[3]]
（2）扩散 一一[[2]]
（3）绒面 一一[[1]]
{A 降低了表面反射提高光生载流子的收集 / B 由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输运过程 / C 去除表面的切片机械损伤}
题目、将下列扩散源一一匹配。
（1）液态源扩散 一一[[2]]
（2）涂布源扩散 一一[[1]]
（3）固态源扩散 一一[[3]]
{A 五氧化二磷 / B 硼酸三甲酯 / C 氮化硼}
题目、太阳电池的等效电路中，暗电流表达式
式中各项分别指代。
（1）U 一一 [[3]]
（2）Q 一一 [[1]]
（3）A 一一 [[2]]
{A 电子电量 / B 二极管曲线因子，取值在1～2之间 / C 等效二极管的端电压}
题目、太阳电池组件的测量必须在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。
（1）光谱辐照度 一一[[2]]
（2）光谱 一一[[3]]
（3）电池温度 一一[[1]]
{A 25℃ / B 1000W/㎡ / C AM 1.5}
题目、提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。
（1）紫光电池 一一[[1]]
（2）M1S电池 一一[[2]]
（3）聚光电池 一一[[3]]
{A 采用0.1～0.15μm浅结和30条/cm精细密栅 / B 在金属和半导体之间加入1．5一3．0nm绝缘层 / C 电池面积小，低成本}
