奥鹏作业网大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式大工答案请进：opzy.net或请联系微信：1095258436
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
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共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
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共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
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共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
大工22春《电力电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共6题，30分)
1.使电力MOSFET导通的栅源驱动电压一般取（ ）V。
A、0-5
B、5-10
C、10-15
D、15-20
2.使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（ ）V。
A、（-5）-（-15）
B、10-15
C、15-20
D、20-25
3.整流二极管多用于开关频率在（ ）Hz以下的整流电路中。
A、500
B、1k
C、5k
D、10k
4.静电感应晶体管的英文缩写是（ ）。
A、PIC
B、IGCT
C、SITH
D、SIT
5.（ ）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施，常与电力电子器件直接串联。
A、交流断路器
B、快速熔断器
C、直流快速断路器
D、快速短路器
6.电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（ ）隔离。
A、光
B、油
C、水
D、气
二、多选题(共6题，30分)
1.当器件导通和关断时，串联使用的器件的（ ）和（ ）存在差异，这种差异引起的不均压问题称为动态不均压问题。
A、静态参数
B、动态参数
C、特性
D、指标
2.下列是常用的过电流保护措施的是（ ）。
A、快速熔断器
B、直流快速断路器
C、过电流继电器
D、以上都不正确
3.下列不是电力电子器件并联均流措施的是（ ）。
A、尽量采用特性一致的元器件进行并联
B、尽量采用特性不一致的元器件进行并联
C、安装时尽量使各并联器件具有对称的位置
D、安装时不能使各并联器件具有对称的位置
4.器件散热常用的冷却方式有（ ）。
A、自冷式
B、风冷式
C、液冷式
D、蒸发冷却式
5.GTO的主要参数有（ ）。
A、最大可关断阳极电流
B、电流关断增益
C、导通时间
D、关断时间
6.下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（ ）
A、触发脉冲有足够的幅值
B、触发脉冲波形有一定的宽度
C、触发脉冲功率足够
D、触发电路有良好的抗干扰性能
三、判断题(共8题，40分)
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
A、错误
B、正确
2.GTR是电压驱动型自关断全控器件。
A、错误
B、正确
3.高压功率集成电路一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。
A、错误
B、正确
4.变流技术是电力电子技术的核心。
A、错误
B、正确
5.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。
A、错误
B、正确
6.集成门极换流晶闸管的英文缩写是IGCT。
A、错误
B、正确
7.电力MOSFET不具备静态特性
A、错误
B、正确
8.不可控器件的通断由其所承受的电压和电流决定。
A、错误
B、正确
