奥鹏作业网大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。大工答案请进：opzy.net或请联系微信：1095258436
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
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共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
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共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
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共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
大工23秋《模拟电子技术》在线作业1
共20道题 总分：100分
一、单选题(共10题，50分)
1.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A、NPN型锗管
B、PNP型锗管
C、PNP型硅管
D、NPN型硅管
2.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能()。
A、越好
B、越差
C、无变化
D、不确定
3.在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
4.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A、共射极
B、共集电极
C、共基极
D、不确定
5.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A、同相
B、反相
C、相差90°
D、不确定
6.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。
A、饱和失真
B、截止失真
C、交越失真
D、线性失真
7.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A、发射极
B、基极
C、集电极
D、不确定
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A、处于饱和状态
B、处于放大状态
C、处于截止状态
D、已损坏
9.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A、增大
B、减小
C、不变
D、不确定
10.晶体管能够放大的外部条件是()。
A、发射结正偏，集电结反偏
B、发射结正偏，集电结正偏
C、发射结反偏，集电结正偏
D、发射结反偏，集电结反偏
二、判断题(共10题，50分)
1.共集电极放大电路又称为射极输出器、电压跟随器。
A、对
B、错
2.二极管是非线性器件。
A、对
B、错
3.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
A、对
B、错
4.N型半导体带正电。
A、对
B、错
5.射极输出器无放大功率的能力。
A、对
B、错
6.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
A、对
B、错
7.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
A、对
B、错
8.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
A、对
B、错
9.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
A、对
B、错
10.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
A、对
B、错
